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UFS4.1存儲芯片高低溫老化試驗箱
B-T-434D高低溫老化試驗箱是上海柏毅專為UFS4.1存儲芯片研發定制。滿足存儲芯片巨頭客戶6層BIB板的同步測試需求，每層可搭載40個被測件，單被測件4W發熱量下總熱負載可控在960W內，實現多器件批量高效測試。
這款高低溫老化試驗箱不僅滿足了新一代存儲芯片的嚴苛測試要求，更以定制化、高精度、高穩定性的特點，成為存儲芯片行業高低溫老化測試的樣板產品。未來，上海柏毅將繼續聚焦半導體領域的測試需求，持續創新技術與產品，為半導體芯片的可靠性驗證提供更專業、更高效的環境試驗設備支持。
高低溫老化試驗箱技術參數
類別 | 具體參數 |
產品名稱 | 高低溫老化試驗箱 |
型號 | B-T-434D |
產品用途 | 滿足6層BIB板測試，每層40個被測件，單被測件4W發熱量，總熱負載≤960W |
標稱內容積 | 434L |
內箱尺寸 | W700×H1240×D500mm |
外型尺寸 | W2400×H2000×D1500mm |
負載條件 | 1. 負載總質量：定制不銹鋼/鋁合金托架+6層BIB板+治具，鋁30KG、不銹鋼23KG、FR4板11.6KG； 2. 負載發熱量≤960W； 3. 風速≥8m/s（各層試樣空氣流動通道中心點平均值） |
溫度范圍 | -60℃～+150℃ |
溫度波動度 | ≤±0.5℃ |
溫度偏差 | ≤±2.0℃ |
溫度均勻性 | ±3℃（滿載），每層老化板支架增設1個采樣點 |
升溫時間 | 25℃→125℃，≥2℃/min |
降溫時間 | 25℃→-45℃，≥1℃/min |
功率/電流 | 功率約22KW，電流55A |
噪音 | ≤68dB(A)（測試點：水平離噪音源1米，高度離地面1米），箱體內加裝吸音棉 |
UFS4.1存儲芯片高低溫老化試驗箱
B-T-434D高低溫老化試驗箱是上海柏毅專為UFS4.1存儲芯片研發定制。滿足存儲芯片巨頭客戶6層BIB板的同步測試需求，每層可搭載40個被測件，單被測件4W發熱量下總熱負載可控在960W內，實現多器件批量高效測試。
這款高低溫老化試驗箱不僅滿足了新一代存儲芯片的嚴苛測試要求，更以定制化、高精度、高穩定性的特點，成為存儲芯片行業高低溫老化測試的樣板產品。未來，上海柏毅將繼續聚焦半導體領域的測試需求，持續創新技術與產品，為半導體芯片的可靠性驗證提供更專業、更高效的環境試驗設備支持。
高低溫老化試驗箱技術參數
類別 | 具體參數 |
產品名稱 | 高低溫老化試驗箱 |
型號 | B-T-434D |
產品用途 | 滿足6層BIB板測試，每層40個被測件，單被測件4W發熱量，總熱負載≤960W |
標稱內容積 | 434L |
內箱尺寸 | W700×H1240×D500mm |
外型尺寸 | W2400×H2000×D1500mm |
負載條件 | 1. 負載總質量：定制不銹鋼/鋁合金托架+6層BIB板+治具，鋁30KG、不銹鋼23KG、FR4板11.6KG； 2. 負載發熱量≤960W； 3. 風速≥8m/s（各層試樣空氣流動通道中心點平均值） |
溫度范圍 | -60℃～+150℃ |
溫度波動度 | ≤±0.5℃ |
溫度偏差 | ≤±2.0℃ |
溫度均勻性 | ±3℃（滿載），每層老化板支架增設1個采樣點 |
升溫時間 | 25℃→125℃，≥2℃/min |
降溫時間 | 25℃→-45℃，≥1℃/min |
功率/電流 | 功率約22KW，電流55A |
噪音 | ≤68dB(A)（測試點：水平離噪音源1米，高度離地面1米），箱體內加裝吸音棉 |
滬ICP備12031864號-4