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高溫反偏試驗（High TemperatureReverse Bias）,簡稱HTRB，是一種用于評估半導體器件在高溫環境下耐受反向偏壓能力的重要測試方法。這種測試通常用于分立器件，如MOSFET、IGBT、二極管（DIODE）、雙極型晶體管（BJT）、晶閘管（SCR）以及GaN等寬禁帶半導體器件。HTRB測試的目的是模擬器件在實際應用中可能遇到的高溫和高電壓應力，以評估其長期穩定性和可靠性。
在HTRB測試中，器件會被施加一個持續的反向電壓，并且這個電壓會高于器件正常工作時的電壓水平。同時，器件的溫度會被控制在高于其額定工作溫度的水平，通常是150°C、175°C或其他更高的溫度。這種高溫條件可以加速器件的老化過程，使得測試在相對較短的時間內完成，從而更快地評估器件的長期性能。
HTRB測試的關鍵參數包括：
1. 測試電壓：根據器件的類型和等級，施加的反向電壓會有所不同。
2. 測試溫度：高溫條件通常設置在器件的額定工作溫度之上，以加速老化過程。
3. 時間：HTRB測試可以持續數小時、數天甚至數周，以確保足夠的時間來評估器件的長期穩定性。
4. 漏電流監控：在整個測試期間，漏電流會被連續監控，以確定其是否隨時間增加而超出可接受的水平。
5. 失效判定：如果漏電流超過預定的失敗閾值，或者器件出現其他明顯的性能退化，測試將被判定失敗。
標準符合性 | ||
本系統試驗線路及功能符并滿足 MIL-STD-750D、GJB128A、AEC-Q101 等標準試驗要求。 | ||
系統適用性 | ||
系統能滿足各種封裝形式的二極管、三極管、場效應管、可控硅、橋堆和 IGBT 單管/模塊等半導體分立器件的高溫偏置試驗(HTRB/HTGB)和老化篩選。 該系統一體化程度高，結構緊湊，內部試驗通道與通道間隔增大，適用于辦公樓或場地較為緊張的實驗室內使用。 | ||
試驗區域和試驗通道 | ||
系統分區 | 整機每個電源試驗區均可試驗不同批次不同輸入電壓的產品； | |
單區控制 | 每個電源試驗區可以單獨控制啟動、暫停、繼續、停止運行，互不干擾； | |
設計方式 | 系統采用一一對應控制方式設計，每個試驗通道老化試驗板對應一塊ARM芯片控制的控制檢測板。任意單元的故障不影響其它正常試驗單元的工作； | |
容量變化 | 單板檢測工位數為40工位，單工位根據用戶實際使用需要可并聯1-3個器件進行多倍容量擴容，擴容后，并聯工位檢測總漏電流； 由于諸多不確定性比如socket的尺寸，單板老化的實際安裝工位需在實際設計生產過程中確定。 | |
高溫試驗箱 | ||
溫度范圍 | RT~200℃ | |
溫度偏差 | ≤±1.5℃（空載） | |
溫度均勻性 | ≤±2℃（空載，有效試驗空間內） | |
溫度波動性 | ≤±0.5℃ | |
溫度過沖 | ≤3℃ | |
控制方式 | 上位機程控＋面板手動控制 | |
溫度記錄 | 計算機實時檢測、記錄試驗箱溫度，描述全過程試驗溫度曲線； | |
保護功能 | 超溫保護、報警裝置和漏電保護裝置；超溫報警時，系統應能切斷試驗 電源及高溫試驗箱的供電電源； | |
老化試驗電源 | ||
配置 | 系統標為每個電源試驗區配置一臺1200W高低壓試驗電源，5V~300V電源，8塊板/40顆 | |
電源分辨率及 輸出精度 | 電源電壓量程≤20V | 分辨率為0.001V；電壓輸出顯示精度≤0.1%+2LSB |
電源電壓量程≤200V | 分辨率為0.01V； 壓輸出顯示精度≤0.1%+2LSB | |
電源電壓量程≤2000V | 分辨率為0.1V； 輸出顯示精度≤0.1%+2LSB | |
電壓檢測 | 電壓檢測范圍 | 0.0～1000V |
電壓檢測分辨率 | 0.1V | |
電壓檢測精度 | ±（0.5% rdg.+ 1LSB ) | |
反向電流檢測 | 反向電流檢測范圍 | 0.1μA～50mA |
反向電流計量起始點 | 0.5μA | |
反向電流分辨率 | 0.1μA | |
反向電流檢測精度 | ±（1% rdg.+0.1）μA | |
高溫反偏試驗（High TemperatureReverse Bias）,簡稱HTRB，是一種用于評估半導體器件在高溫環境下耐受反向偏壓能力的重要測試方法。這種測試通常用于分立器件，如MOSFET、IGBT、二極管（DIODE）、雙極型晶體管（BJT）、晶閘管（SCR）以及GaN等寬禁帶半導體器件。HTRB測試的目的是模擬器件在實際應用中可能遇到的高溫和高電壓應力，以評估其長期穩定性和可靠性。
在HTRB測試中，器件會被施加一個持續的反向電壓，并且這個電壓會高于器件正常工作時的電壓水平。同時，器件的溫度會被控制在高于其額定工作溫度的水平，通常是150°C、175°C或其他更高的溫度。這種高溫條件可以加速器件的老化過程，使得測試在相對較短的時間內完成，從而更快地評估器件的長期性能。
HTRB測試的關鍵參數包括：
1. 測試電壓：根據器件的類型和等級，施加的反向電壓會有所不同。
2. 測試溫度：高溫條件通常設置在器件的額定工作溫度之上，以加速老化過程。
3. 時間：HTRB測試可以持續數小時、數天甚至數周，以確保足夠的時間來評估器件的長期穩定性。
4. 漏電流監控：在整個測試期間，漏電流會被連續監控，以確定其是否隨時間增加而超出可接受的水平。
5. 失效判定：如果漏電流超過預定的失敗閾值，或者器件出現其他明顯的性能退化，測試將被判定失敗。
標準符合性 | ||
本系統試驗線路及功能符并滿足 MIL-STD-750D、GJB128A、AEC-Q101 等標準試驗要求。 | ||
系統適用性 | ||
系統能滿足各種封裝形式的二極管、三極管、場效應管、可控硅、橋堆和 IGBT 單管/模塊等半導體分立器件的高溫偏置試驗(HTRB/HTGB)和老化篩選。 該系統一體化程度高，結構緊湊，內部試驗通道與通道間隔增大，適用于辦公樓或場地較為緊張的實驗室內使用。 | ||
試驗區域和試驗通道 | ||
系統分區 | 整機每個電源試驗區均可試驗不同批次不同輸入電壓的產品； | |
單區控制 | 每個電源試驗區可以單獨控制啟動、暫停、繼續、停止運行，互不干擾； | |
設計方式 | 系統采用一一對應控制方式設計，每個試驗通道老化試驗板對應一塊ARM芯片控制的控制檢測板。任意單元的故障不影響其它正常試驗單元的工作； | |
容量變化 | 單板檢測工位數為40工位，單工位根據用戶實際使用需要可并聯1-3個器件進行多倍容量擴容，擴容后，并聯工位檢測總漏電流； 由于諸多不確定性比如socket的尺寸，單板老化的實際安裝工位需在實際設計生產過程中確定。 | |
高溫試驗箱 | ||
溫度范圍 | RT~200℃ | |
溫度偏差 | ≤±1.5℃（空載） | |
溫度均勻性 | ≤±2℃（空載，有效試驗空間內） | |
溫度波動性 | ≤±0.5℃ | |
溫度過沖 | ≤3℃ | |
控制方式 | 上位機程控＋面板手動控制 | |
溫度記錄 | 計算機實時檢測、記錄試驗箱溫度，描述全過程試驗溫度曲線； | |
保護功能 | 超溫保護、報警裝置和漏電保護裝置；超溫報警時，系統應能切斷試驗 電源及高溫試驗箱的供電電源； | |
老化試驗電源 | ||
配置 | 系統標為每個電源試驗區配置一臺1200W高低壓試驗電源，5V~300V電源，8塊板/40顆 | |
電源分辨率及 輸出精度 | 電源電壓量程≤20V | 分辨率為0.001V；電壓輸出顯示精度≤0.1%+2LSB |
電源電壓量程≤200V | 分辨率為0.01V； 壓輸出顯示精度≤0.1%+2LSB | |
電源電壓量程≤2000V | 分辨率為0.1V； 輸出顯示精度≤0.1%+2LSB | |
電壓檢測 | 電壓檢測范圍 | 0.0～1000V |
電壓檢測分辨率 | 0.1V | |
電壓檢測精度 | ±（0.5% rdg.+ 1LSB ) | |
反向電流檢測 | 反向電流檢測范圍 | 0.1μA～50mA |
反向電流計量起始點 | 0.5μA | |
反向電流分辨率 | 0.1μA | |
反向電流檢測精度 | ±（1% rdg.+0.1）μA | |
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